由于碳化硅陶瓷的各种优异性能，人们对碳化硅陶瓷非常认可，因此对碳化硅陶瓷的开发和研究也很多。面介绍几种制备碳化硅陶瓷的方法。
(1) 热压碳化硅陶瓷虽然可以在2000度以上的温度和350M Pa以上的压力下使纯SiC热压致密，但通常采用添加剂的方法。热压添加剂有两类：一类是与碳化硅中的杂质形成液相，通过液相促进烧结。一种是与SiC形成固溶体，减少晶界，促进烧结。
(2) 常压碳化硅陶瓷常压烧结碳化硅又称无压烧结碳化硅，可在2100度以上的温度下生产出高纯度、高密度的碳化硅陶瓷。
（3）反应性碳化硅陶瓷反应烧结碳化硅又称自键合碳化硅。将碳化硅粉和石墨粉按一定比例混合压制成坯体块，加热到1650度左右，通过气相和C反应形成。