无压烧结碳化硅陶瓷技术参数
Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics
项目 (item)
单位 (unit)
SSIC
使用温度 (applicationtemperature)
℃
1600
硬度Hv (Hardness Hv1)
HRA
≥92
抗压强度 (compressive strength)
MPa
≥2600
抗弯强度 (bending strength)
≥400
碳化硅量 (Sic Content)
%
≥99
弹性模量 (modulus of elasticity)
410
导热系数 (Thermal Conductivity)
W/(M.K)
100-120
热膨胀系数 (coefficient ofthermal expansion)
i/℃
4.0
气孔率 (open porosity)
<0.1
泊松比 (Posisson’s Ration)
0.16
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